Si busca un MOSFET para su proyecto de energía, le recomendamos este componente. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx ofrecen un alto voltaje de bloqueo con baja resistencia en estado activado [RDS(ON)]. La resistencia en estado activado está entre 25 mΩ y 160 mΩ, y la corriente de drenador continua (ID) está entre 20 A y 111 A. Estos dispositivos ofrecen conmutación de alta velocidad con baja capacitancia e incorporan un diodo intrínseco ultrarrápido. Disponibles con voltaje de drenador-fuente (VDSS) de 650 V o 1200 V. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx se ofrecen en tres encapsulados (TO-263-7L, TOLL-8 y TO-247-4L).
