El Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN sobre SiC de alta potencia diseñado para aplicaciones exigentes en banda L, operando en el rango de frecuencia de 1,0 GHz a 1,5 GHz. Diseñado para ofrecer un rendimiento de RF robusto, el Qorvo QPD2560L proporciona hasta 55,4 dBm de potencia de salida saturada, 15 dB de ganancia de señal grande y una eficiencia de drenaje del 65 %, lo que lo hace adecuado tanto para operación continua (CW) como pulsada. El dispositivo cuenta con una entrada preadaptada internamente para simplificar los requisitos de adaptación externa y reducir el espacio en la placa, mientras que la salida permanece sin adaptar para una mayor flexibilidad de diseño. El QPD2560L, alojado en un robusto encapsulado de cavidad de aire NI 650 estándar de la industria, está optimizado para radares militares y civiles de banda L, guerra electrónica, comunicaciones profesionales, aplicaciones ISM y amplificadores de banda ancha/estrecha de alta potencia. Su capacidad de pulsos largos y su alta resistencia térmica mejoran aún más su idoneidad para sistemas de RF de misión crítica.
