Los MOSFET de potencia MDmesh K6 de canal N de STMicroelectronics están protegidos por Zener y 100% probados contra avalanchas. Estos MOSFET de potencia presentan una tensión de ruptura mínimo de fuente de drenaje de 800 V, una tensión de fuente de puerta de ±30 V y un rango de temperatura de unión operativa de -55 °C a 150 °C. Los MOSFET de potencia MDmesh K6 también cuentan con una pendiente de voltaje de recuperación de diodo pico de 5 V/ns, una pendiente de corriente de recuperación de diodo pico de 100 A/μs y una robustez de MOSFET dv/dt de 120 V/ns. Las aplicaciones típicas incluyen portátiles y AIO, convertidores flyback, adaptadores para tabletas e iluminación LED.
