El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) SemiQ GP3D050B170B QSiC™ de 1700 V viene en un paquete TO-247-2L diseñado para satisfacer las demandas de tamaño y energía en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores solares y estaciones de vehículos eléctricos (EV) sistema de carga. Este diodo discreto presenta cero de corriente de recuperación inversa y pérdida de conmutación casi nula, así como una gestión térmica mejorada que reduce las necesidades de refrigeración. Esto da como resultado diseños altamente eficientes y de alto rendimiento que minimizan la disipación de calor del sistema, lo que permite el uso de disipadores de calor más pequeños para ahorrar espacio y costos. El módulo GP3D050B170B también admite configuraciones paralelas sencillas para una mayor flexibilidad y escalabilidad en aplicaciones de energía. El diodo Schottky SiC QSiC 1700V SemiQ GP3D050B170B admite una conmutación rápida en un rango de temperatura de unión operativa de -55 °C a +175 °C.
