Las señales moduladas hasta unos pocos megahertz se pueden detectar con el circuito que se muestra en la figura que utiliza un fotodiodo como sensor y un transistor de efecto de campo de baja potencia como elemento amplificador. La sensibilidad depende del resistor de 100 k Ω en serie con el fotodiodo, que se puede cambiar según la aplicación. El valor del capacitor C se elige en el rango de 1 nF a 100 nF, dependiendo de la frecuencia de modulación de la señal recibida. La fuente de alimentación puede estar entre 5 V y 15 V, normalmente. El sensor puede ser cualquier fotodiodo o incluso una unión PN de un fototransistor.
| Clique na imagem para ampliar |
